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您查询的相关hs编码 15 条,您的查询关键词 381800
| HS编码 | 品名 | 实例汇总 | 申报要素·退税 | 编码比对 |
|---|---|---|---|---|
| 38180011.00
(已作废)
推荐查询: 38180011 |
7.5cm≤直径≤15.24cm单晶硅片
(7.5cm≤直径≤15.24cm单晶硅片经掺杂用于电子工业的) [Monocrystalline sillicon, in the form of discs, wafers or similar form, diameter 7.5cm or more but not exceeding 15.24cm, chemical compounds doped for use in electronics] |
102条 | 查看详情 | -- |
| 38180090.00
(已作废)
推荐查询: 38180090 |
其他经掺杂用于工业的晶体切片
(其他经掺杂用于工业的晶体切片包括经掺杂用于电子工业的化学元素及化合物) [Other monocrystalline sillicon, in the form of discs, wafers or similar form, chemical compounds doped for use in electronics] |
60条 | 查看详情 | 对比-38180011.00 |
| 38180019.00
(已作废)
推荐查询: 38180019 |
直径〉15.24cm的单晶硅片
(直径〉15.24cm的单晶硅片经掺杂用于电子工业的) [Monocrystalline sillicon, in the form of discs, wafers or similar form, diameter exceeding 15.24cm, chemical compounds doped for use in electronics] |
35条 | 查看详情 | 对比-38180090.00 |
| 38180012.00 (增) | 7.5cm≤直径≤15.24cm，厚度在220微米 以上的单晶硅片
(经掺杂用于电子工业的) [Monocrystalline silicon wafers with a diameter of 7.5 cm ≤ diameter ≤ 15.24 cm and a thickness of more than 220 microns] |
0条 | 查看详情 | 对比-38180019.00 |
| 38180013.00 (增) | 7.5cm≤直径≤15.24cm，厚度在220微米及以下的单晶硅片
(经掺杂用于电子工业的) [Monocrystalline silicon wafers with a diameter of 7.5 cm ≤ diameter ≤ 15.24 cm and a thickness of 220 microns or less] |
0条 | 查看详情 | 对比-38180012.00 |
| 38180014.10 (增) | 厚度在220微米 以上的经掺杂用于电子工业的单晶硅切片，直径超过15.24厘米，但小于20.32厘米
(经掺杂用于电子工业的) [Doped monocrystalline silicon wafers for electronic industry with a thickness of more than 220 microns, diameter exceeding 15.24 cm but less than 20.32 cm] |
0条 | 查看详情 | 对比-38180013.00 |
| 38180014.20 (增) | 厚度在220微米 以上的经掺杂用于电子工业的单晶硅切片，直径在20.32厘米及以上，但小于30.48厘米
(经掺杂用于电子工业的) [Doped monocrystalline silicon wafers for electronic industry with a thickness of more than 220 microns, diameter of 20.32 cm or more but less than 30.48 cm] |
0条 | 查看详情 | 对比-38180014.10 |
| 38180014.90 (增) | 厚度在220微米 以上的其他经掺杂用于电子工业的单晶硅切片
(经掺杂用于电子工业的) [Other doped monocrystalline silicon wafers for electronic industry with a thickness of more than 220 microns] |
0条 | 查看详情 | 对比-38180014.20 |
| 38180015.10 (增) | 厚度在220微米及以下的经掺杂用于电子工业的单晶硅切片，直径超过15.24厘米，但小于20.32厘米
(经掺杂用于电子工业的) [Doped monocrystalline silicon wafers for electronic industry with a thickness of 220 microns or less, diameter exceeding 15.24 cm but less than 20.32 cm] |
0条 | 查看详情 | 对比-38180014.90 |
| 38180015.20 (增) | 厚度在220微米及以下的经掺杂用于电子工业的单晶硅切片，直径在20.32厘米及以上，但小于30.48厘米
(经掺杂用于电子工业的) [Single crystal silicon slices doped for use in the electronics industry with a thickness of 220 micrometers or less, with a diameter of 20.32 cm or more but less than 30.48 cm] |
0条 | 查看详情 | 对比-38180015.10 |
| 38180015.90 (增) | 厚度在220微米及以下的其他经掺杂用于电子工业的单晶硅切片
(经掺杂用于电子工业的) [Other single crystal silicon slices doped for use in the electronics industry with a thickness of 220 micrometers or less] |
0条 | 查看详情 | 对比-38180015.20 |
| 38180019.10
(已作废)
推荐查询: 38180019 |
经掺杂用于电子工业的单晶硅切片，直径超过15.24厘米，但小于20.32厘米
(经掺杂用于电子工业的单晶硅切片，直径超过15.24厘米，但小于20.32厘米) [Single crystal silicon slices doped for the electronics industry, with a diameter exceeding 15.24 centimeters but less than 20.32 centimeters] |
0条 | 查看详情 | 对比-38180015.90 |
| 38180019.20
(已作废)
推荐查询: 38180019 |
经掺杂用于电子工业的单晶硅切片，直径在20.32厘米及以上，但小于30.48厘米
(经掺杂用于电子工业的单晶硅切片，直径在20.32厘米及以上，但小于30.48厘米) [Single crystal silicon slices doped for the electronics industry, with a diameter of 20.32 centimeters or more but less than 30.48 centimeters] |
0条 | 查看详情 | 对比-38180019.10 |
| 38180019.90
(已作废)
推荐查询: 38180019 |
其他经掺杂用于电子工业的单晶硅切片
(其他经掺杂用于电子工业的单晶硅切片) [Other doped monocrystalline silicon slices used in the electronics industry] |
0条 | 查看详情 | 对比-38180019.20 |
| 38180090.01
(已作废)
推荐查询: 38180090 |
经掺杂用于电子工业的氮化镓
(经掺杂用于电子工业的氮化镓) |
0条 | 查看详情 | 对比-38180019.90 |